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基于RF、MEMS开关的移相器设计
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2011-12-26
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传统电子移相器由于损耗问题难以向更高频率发展,射频微机电系统(RF MEMS) 技术的出现使其得以替代半导体开关来设计更高频率的移相器. 利用具有优异RF 性能的串联电阻式RFMEMS 开关来进行开关线式移相器设计,通过开关切换不同的信号延迟通路,以实现从0°～180°步进22. 5°的相移功能. 仿真结果表明,该移相器在5. 8 GHz 时,插入损耗在- 0. 3～ - 0. 7 dB 变化,输入回损低于- 20 dB ,相移功能正确.
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