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高频无源元件的EM建模分析技术

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:980 KB | 2012-03-09

王兰

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该模型充分考虑了衬底损耗、趋肤效应、接近效应等因素,对无源元件电特性的影响,基于GaAs半导体工艺进行了流片。测试结果表明,在0.1~40 GHz频率范围内,采用EM技术提取的元件参数值有效地吻合了其测试值。
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zijoon 2012-03-15
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