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GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究_包军林
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2013-12-07
吴文彬
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GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究
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摘 要: 在宽范围偏置条件下, 测量了 GaAlAs 红外发光二极管( IRLED) 的低频噪声, 发现 1/ f 噪声幅值与偏置电流 Irf 的 r次方成正比, 在小电流区, r≈1,在大电流区 r≈2。 建立了一个 GaAlAs IRLED 的1/ f 噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明, 低电流区 GaAlAs IRLED 的 1/ f 噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的 1/ f 噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为 1/ f 噪声表征 GaAlAs IRLED 的可靠性提供了实验基础与理论依据。
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