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基于四氧杂四烯衍生物荧光猝灭的钼酸根传感器
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2009-07-15
郝埃连
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钼酸根离子MoO2-4 在水溶液中对固定于聚氯乙烯(PVC) 膜中的2, 2, 7, 7, 12, 12, 17, 172八甲基221,22, 23, 242四氧杂四烯(TO E) 有可逆荧光猝灭作用。据此制成了可测定MoO 2-4 浓度的荧光化学传感器, 其最佳组成为: 50 mg PVC、100 mg 癸二酸二异辛脂(DO S) 和216mg TO E。在pH= 810 的T risöHCl 缓冲溶液中MoO 2-4 的线性响应范围为1143×10- 7～ 510×10-4mo löL , 检出限为4173×10- 8mo löL , 响应时间小于30 s。该传感器具有良好的重现性、可逆性和选择性, 其它常见阴离子和阳离子不干扰测定。可测定低含量的白钨矿中的钼。
关键词 光化学传感器, 八甲基四氧杂四烯(TO E) , 钼酸根离子, 荧光猝灭, 白钨矿
关键词 光化学传感器, 八甲基四氧杂四烯(TO E) , 钼酸根离子, 荧光猝灭, 白钨矿
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