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宽带数控延时线芯片的研制论文
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2024-07-02
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本论文介绍了宽带数控延时线的工作原理、电路设计、微波单片电路制作工 艺以及测试技术。本文的数控延时线芯片采用 GaAs PHEMT 材料和微波单片集成 电路工艺，采用了电路和电磁场仿真相结合的设计方法。同时，所有延时位在延 时支路采用常阻延时网络，从而实现了高延时精度、大延时量等性能。 典型 GaAs MMIC 数控延时线芯片主要性能指标测试结果为： 工作频率：2～18GHz；延时位：6 位；插入损耗≤22.0dB；总延时量为 315ps； 驻波比≤2.5:1。 测试结果均达到了设计要求，较好的验证了砷化镓微波单片集成电路设计理 论，也为今后的改进设计提供了重要的参考。最后还针对测试结果给出了相应的 理论分析。
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