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无线手机使用的集成式RF功放器/滤波器前端
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2009-10-01
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无线手机使用的集成式RF功放器/滤波器前端:CMOS设计人员多年来一直把各种功能集成到大型集成电路中。大家已经看到，摩尔定律在日常生活中给性能和成本带来了难以置信的影响。在移动通信终端中，许多元器件要么已经集成到RFIC中，要么因直接数字上/下变频器的出现而消失。
在通信终端中，到目前一直有两个RF元器件没有集成，即滤波器和RF功放器，这两种器件采用的构建技术都不兼容芯片上CMOS集成。在传统上，滤波器一直采用陶瓷或表面声波(SAW)技术构建，而RF功放器则一直使用GaAs异质结双极晶体管(HBT)或FET器件构建。由于这些技术与RFIC使用的硅或SiGe工艺有着很大区别，因此功放器和滤波器一直作为分散器件，与现在执行手机大部分RF功能的大规模集成芯片组分开。声音谐振器技术和先进的低噪声高线性度晶体管技术已经明显缩小了每种分散功能的体积。图1是当前CDMA PCS手机设计中使用的单独的薄膜腔声谐振器(FBAR)滤波器和增强模式伪形态高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)功放器。
但是，当前的单片电路滤波器和放大器技术允许设计人员突破RF集成障碍，重要的技术进步包括：
表面声波(SAW)滤波器
FBAR滤波器
异质结双极晶体管(HBTs)
E-pHEMT
由于每种技术都把某种RF功能精简到单片电路设备上，因此可能需要重要举措来提高集成度。以前的技术如陶瓷滤波器需要采用非单片电路结构，单片电路放大器集成起来很不方便。
在通信终端中，到目前一直有两个RF元器件没有集成，即滤波器和RF功放器，这两种器件采用的构建技术都不兼容芯片上CMOS集成。在传统上，滤波器一直采用陶瓷或表面声波(SAW)技术构建，而RF功放器则一直使用GaAs异质结双极晶体管(HBT)或FET器件构建。由于这些技术与RFIC使用的硅或SiGe工艺有着很大区别，因此功放器和滤波器一直作为分散器件，与现在执行手机大部分RF功能的大规模集成芯片组分开。声音谐振器技术和先进的低噪声高线性度晶体管技术已经明显缩小了每种分散功能的体积。图1是当前CDMA PCS手机设计中使用的单独的薄膜腔声谐振器(FBAR)滤波器和增强模式伪形态高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)功放器。
但是，当前的单片电路滤波器和放大器技术允许设计人员突破RF集成障碍，重要的技术进步包括：
表面声波(SAW)滤波器
FBAR滤波器
异质结双极晶体管(HBTs)
E-pHEMT
由于每种技术都把某种RF功能精简到单片电路设备上，因此可能需要重要举措来提高集成度。以前的技术如陶瓷滤波器需要采用非单片电路结构，单片电路放大器集成起来很不方便。
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