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改进的硅衬底发光二极管解决高固体照明成本
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改进的硅衬底发光二极管解决高固体照明成本
今天的高亮度LED的主要技术是氮化镓（GaN）在蓝宝石或碳化硅（SiC）衬底上。这些材料是受欢迎的，因为所得到的发光二极管明亮，高效，并持续很长一段时间。然而，芯片很难制造和封装到可用的设备，乘以成本的最终产品，使用它们作为轻型发动机。虽然近年来价格直线下降，LED照明仍然是相当昂贵的购买比传统的替代品。这最初的费用被引用作为一个主要因素放缓接受固态照明（SSL）。
一个开创性的生产商小组努力通过用硅（Si）取代蓝宝石或碳化硅衬底来降低大功率LED的成本，这种材料通常用于制造大多数电子芯片（“ICS”）。关键的好处是一个非常低的晶片成本供应和机会使用8英寸晶圆厂折旧LED制造。结合起来，这些概念使LED价格大幅降低，克服消费者的反对。
Initially， technical challenges limited the performance of GaN-on-Si LEDs， making them unattractive for mainstream lighting. Now， some manufacturers， notably Toshiba， have introduced a new generation of these LEDs with vastly improved performance at a very competitive price， making them a viable alternative to conventional devices in many applications.
This article reviews the development of silicon-substrate LEDs and describes the latest generation of commercial devices.
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