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用于紫外发光二极管的碳化硅上的氮化铝镓
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2023-02-21
陈飞
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一直在使用碳化硅（碳化硅）衬底生长氮化铝(AlGaN)结构，针对278nm深紫外(UV-C，100-280nm波长)发光二极管(LED)。使用 薄膜翻转芯片设备的表面粗糙化，使光提取效率(LEE)比光滑表面的LED提高了3倍。在低TDD[线程位错密度]的碳化硅上生长 AlGaNLEd的能力为制造高亮度、高LEE的高亮度、高功率UVled开辟了新的方法。260-280nm的波长范围通过破坏病原体的 DNA和RNA分子实现有效消毒。
热衷于对抗耐抗生素的细菌，如艰难梭菌(C。差异。），这种方法确实很难用化学方法来杀死。相比之下，紫外线消毒减少了 碳菌的差异。由于许多因素，制造高效的UV-cled一直具有挑战性。材料质量可以通过使用碳化硅而不是蓝宝石，由于更紧密 的晶格和热膨胀匹配。然而，与蓝宝石不同的是，由于UV-C光的带隙较窄，它被碳化硅强烈吸收。事实上，蓝宝石经常被用 于uv-cled。
热衷于对抗耐抗生素的细菌，如艰难梭菌(C。差异。），这种方法确实很难用化学方法来杀死。相比之下，紫外线消毒减少了 碳菌的差异。由于许多因素，制造高效的UV-cled一直具有挑战性。材料质量可以通过使用碳化硅而不是蓝宝石，由于更紧密 的晶格和热膨胀匹配。然而，与蓝宝石不同的是，由于UV-C光的带隙较窄，它被碳化硅强烈吸收。事实上，蓝宝石经常被用 于uv-cled。
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