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移动式PMU的功率MOSFET故障原因及设计考虑
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2017-06-20
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汽车系统以及在汽车上充电或者工作的移动设备内部的功率MOSFET，可能工作在恶劣的环境下，并承受来自电源设备和发射器的大强度瞬态。另外，空气中以及电路板裸露导电表面的腐蚀性污染物，会引起低阻抗通路。时间一长，这些低阻抗通路和瞬态事件（例如：过载、电磁耦合和工作环境产生的易发尖峰等），会导致产生破坏性的电气过应力（EOS）状态。这种状态可能会使强电流在非常短的时间内流过MOSFET功率开关。
本文为您介绍将外部反馈组件用于移动式车载应用的高频开关和稳压器的特殊设计考虑和故障分析，目的是帮助广大设计人员熟悉可能导致片上功率开关损毁的各种机制和环境。我们讨论了避免和消除EOS状态影响的一些方法和技术，帮助改进终端用户产品和PCB设计。本文还介绍了一些进行实验室测试的小技巧，并给出了避免高密度/超紧凑型移动设计出现问题的优秀工程方法。
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