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GaN Captures the Spotlight at IMS2012
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GaN Captures the Spotlight at IMS2012
今年的国际微波研讨会（ims2012）是在蒙特利尔é基地，在魁北克的Palais des Congres举行，加拿大。超过7600名微波及射频设计师、研究人员、发展商、学术界人士、行政人员及展览人员出席了会议。收到了来自49个不同国家的1225份文件提交的记录，该活动欢迎来自21个国家的569个参展商，展示了他们的产品和技术。
在今年的ims2012，GaN有技术更高的重视与ims2011。企业之间呈现出GaN产品首次被飞思卡尔，这是已知的最主要的是它的LDMOS射频部分。与会者看到基于GaN的开关和LNAs，和测试工具进行建模，分别针对大功率GaN器件。尽管GaN由于其性能优势而被公认为是许多射频应用中引人注目的硅替代品，但它面临着与成本相关的重大挑战。推高价格的公司将随着生产量的增长和技术适应更多的应用而下降。
以下是在研讨会技术会议期间发表的一些重要的赣文相关论文的样本：
Sumitomo Electric Device Innovations （Yamanashi-Plant， Japan） presented a paper titled ‘A 2.6 GHz band 537 W peak power GaN HEMT asymmetric Doherty amplifier with 48 percent drain efficiency at 7 dB’。 Currently， Doherty amplifiers are used in basestation transmitter system （BTS） since the peak-to-average power ratio of modern digital wireless communication signals， like W-CDMA， LTE and WiMAX， is around 6 to 8 dB. Additionally， Doherty amplifiers are suitable to operate in such back-off output power regions. Si-LDMOS transistors have been the dominant technology for BTS applications because of their price/performance benefits. On the other hand， GaN HEMT features high output impedance and operates with high power and high efficiency due to its high current density and high breakdown voltage. Industry analysts see GaN-HEMT gradually penetrating the high frequency BTS market.
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