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聚光太阳电池制造的关键技术与测试
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2017-11-07
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单片多结电池是种多层结构，包含多种Ⅲ-Ⅴ化合物材料，能带调节可以通过调整三元或四月合金，如 GaxIn1-xP 或（AlxGa1-x）In1-yAsy等。与此同时，晶格常数通常也是组分的函数 ， 生 长 高 质 量 的 晶 体 要 求 各 外 延 层 晶 格 匹 配 ， 目 前 最 成 功 的 电 池 结 构 是Ga0.5In0.5P/Ga0.99In0.01As/Ge 三 结 太阳电池，它是完全晶格匹配的。除了光有源区 pn 结之外，电池结构包含多种不同材料组分结构，例如缓冲层、窗口层、背场层和隧穿结，一个电信的三结太阳电池包含超过20 个 单 外 延 层 ， 厚 度 从10nm~4000nm 不等，掺杂浓度从1016-1020cm-3不等。
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