IGBT的优势在于输入阻抗很高,开关速率快,导通态电压低,关断时阻断电压高,集电极和发射机承受电流大的特点,目前已经成为电力电子行业的功率半导体发展的主流器件。IGBT已经由第三代发展到第五代了,由穿透型发展到非穿透型。IGBT模块也在此基础上同步发展,单管模块,半桥模块,6管模块,到现在的7管模块。IGBT驱动设计上比较复杂,需要考虑较多的因素,诸如合理的选择驱动电压Uge和门极驱动电阻Rg,过流过压保护等都是很重要的。IGBT模块广泛用于UPS,感应加热,逆变焊机电源,变频器等领域。
![浅谈最简单的7管封装IGBT模块](https://www.elecfans.com/uploads/allimg/171114/2755807-1G11414225T18.png)
图1:半桥模块
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图2:全桥模块(H桥)
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图3:三相全桥6管封装
对于世强代理的Vincotech7管封装的IGBT模块主要是用于电机驱动的变速调节和新能源逆变上,他由6管再加一个带制动的IGBT单管封装在一起构成一个7管的封装。
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