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IGBT工艺流程 IGBT模块封装流程
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT（双 极型三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器 件， 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载 流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密 度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流 电压为 600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领 域。 IGBT 模块是由 IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与 FWD（续流二极管芯片）通过特定 的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS 不 间断电源等设备上； IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模 块化产品，一般所说的 IGBT 也指 IGBT 模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市 场上将越来越多见； IGBT 是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性 新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
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