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DDR存储器电接口检验
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2017-11-15
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从智能手机到服务器场，几乎每种电子器件都采用某种形式的 RAW 存储器。尽管闪存 NAND 因在各种消费电子中盛行而持续增长，但 SDRAM 仍是大多数计算机及基于计算机的产品采用的主要存储器技术，其以每个比特相对较低的成本，提供了优秀的速度和存储容量组合。DDR或双倍数据速率SDRAM已经成为当前首选的存储器技术，随着各个公司努力提高速度和容量，同时降低成本、能耗预算及存储器设备的物理尺寸，这一技术也在不断演进。
信号接入和探测
在存储器验证要克服的第一批障碍中，其中一个障碍是接入和采集必要信号的问题。JEDEC标准规定应在存储器器件的BGA球输出上进行测量。FBGA器件包括一个用于特定用途、不能接入的焊球连接阵列，那么怎样才能实现这种测量呢？
一个解决方案是在PCB布线过程中进行测试设计，在存储器器件下面直接包括通路，这些通路可以在电路板背面探测。尽管这些测试点并不是严格地“位于器件球输出上”，但在实践中，通过PCB的轨迹长度一般足够短，信号劣化影响非常小。在使用这种方法时，信号完整性通常相当好，能够以可接受的测试余量执行电接口验证。
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