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基于0.6 μm CMOS工艺的单片集成有源电感设计
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2009-12-14
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基于0.6 μm CMOS 工艺的单片集成有源电感设计
吉小冬[1][2] 孙玲[2] 包志华[2]
(1. 东南大学集成电路学院，江苏，南京，210096
2.南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室，江苏，南通，226007)
摘要：采用0.6 μm CMOS 工艺实现了一种CMOS 工艺单片集成有源电感的设计，其电路原理图由 2 个N 型场效应晶体管和2 个P 型场效应晶体管构成，电感值可受直流偏置控制，占用面积小。仿真结果表明，该有源电感电路的工作频率范围为1MHz~1GHz，600MHz 频率处电感的Q 值达到26，等效电感值为400nH。
关键词：有源电感；单片集成电路；品质因数；CMOS 工艺
吉小冬[1][2] 孙玲[2] 包志华[2]
(1. 东南大学集成电路学院，江苏，南京，210096
2.南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室，江苏，南通，226007)
摘要：采用0.6 μm CMOS 工艺实现了一种CMOS 工艺单片集成有源电感的设计，其电路原理图由 2 个N 型场效应晶体管和2 个P 型场效应晶体管构成，电感值可受直流偏置控制，占用面积小。仿真结果表明，该有源电感电路的工作频率范围为1MHz~1GHz，600MHz 频率处电感的Q 值达到26，等效电感值为400nH。
关键词：有源电感；单片集成电路；品质因数；CMOS 工艺
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