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AN-1310：通过MDIO实现闪存编程—协议类型8

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:242.3KB | 2025-01-14

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本应用笔记说明一种针对完全集成单封装器件而提出的协 议，这些单封装器件集成高性能模拟外设和数字外设，由 ARM® Cortex™-M3处理器和用于代码和数据的集成闪存进行 控制。 这些器件必须包括一个可运行在最高达4 MHz频率下的MDIO 接口，并且可以同时执行程序使一个闪存模块对另一个闪 存模块进行写入/擦除操作功能，使得它非常适合40 G到100 G 的光通信应用。 过在用户闪存中不可擦除的内核代码上增加标识，可以实 现如下功能，即可根据MDIO的需要将用户代码可靠地在 用户闪存代码和数据空间的两个模块间切换。 若要了解标识的更多相关细节以及其他特定器件的细节， 请参考特定器件的硬件参考手册。
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