资料下载
×
基于SiC器件的高效率功率因数校正电源研究
消耗积分:3 |
格式:rar |
大小:0.80 MB |
2018-03-07
分享资料个
针对传统有桥Boost功率因数校正电路效率不高的问题，分析了Boost功率因数校正电路的基本结构以及控制方法，SiC器件的特点和发展历程，提出了使用SiC器件来提升其功率密度的方案。介绍了功率因数校正电路巾重要参数的设计，简述了一种适用于PFC功率电感的设计方法以及主要设计步骤，并分析了传统有桥功率因数校正电路的损耗分布情况。选取了数家公司生产的不同材料的MOSFET，搭建了对应的1.2 kW实验样机，并测量了各个样机效率。研究结果表明，在115 V交流输入下，相比infineon公司最新的具有超结结构的CoolMOS．ROHM公司的大电流Si MOSFET，使用SiC MOSFET能够提升有桥功率因数电路的工作效率。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
- 相关下载
- 相关文章
