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PESD5V5C1UBSF极低电容单向ESD保护二极管规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:151.98KB | 2025-02-12

duke刘

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极低电容单向静电放电（ESD）保护二极管，部分 TrEOS保护系列。该器件采用 DSN0603-2 （SOD962-2） 无引脚封装 超小型表面贴装器件 （SMD） 封装，旨在保护一条信号线免受 ESD和其他瞬态造成的损坏。 2. 特点和优势 IEC 61000-4-5（浪涌）：IPP = 10 A 峰值脉冲（测量平均值） • 单线单向ESD保护 • VRWM = 5.5 V 器件 • • 极低的二极管电容 Cd = 0.58 pF（典型值） • 极低的箝位电压可保护敏感的 I/O • 非常低的峰值箝位，适用于敏感的 IC，在保护和 受保护的系统 • 极低的电感保护接地路径 • ESD 保护高达 ±18 kV，符合 IEC 61000-4-2 标准 • 极低触发电压 Vt1 = 7.9 V，可防止低压浪涌脉冲 • 超小型 SMD 封装 
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