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PESD5V0W1BDSF极低电容双向ESD保护二极管规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:147.76KB | 2025-02-18

杨雪

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极低电容双向静电放电 （ESD） 保护二极管，是 TrEOS保护系列。该器件采用 DSN0603-2 （SOD962-2） 超小型无引脚封装 表面贴装器件 （SMD） 封装，旨在保护一条信号线免受损坏 由ESD和其他瞬变引起。 2. 特点和优势 • 单线双向ESD保护 • 极高的浪涌鲁棒性 IPPM = 20 A（8/20 μs） • 极低的二极管电容 Cd = 0.5 pF（典型值） • 极低的电感保护接地路径 • 高达 ± kV 的 ESD 保护，符合 IEC 61000-4-2 标准 • 差分通带：14.2 GHz • 超小型 SMD 封装 3. 应用 • USB3.2 和 HDMI2.0 数据线 • 蜂窝手机和配件 • 便携式电子产品 • 通信系统 • 计算机和外围设备 4. 快速参考数据 表 1.快速参考数据 象征 VRWM的 参数 反向对峙 电压 二极管电容 镉 条件 坦布 = 25 °C f = 1 兆赫;VR = 0 V;坦布 = 25 °C 最小 -5 - 类型 - 麦克斯 5 单位 V 0.49 0.6 pF
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