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基于SST39WF400B下的4 Mb(x16)多用途闪存

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:4.19 MB | 2018-05-25

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  特性

  • 按 256K x16 的形式组织

  • 单电压读写操作

  – 1.65-1.95V

  • 超高可靠性

  – 可擦写次数:100,000 次(典型值)

  – 数据保存时间大于 100 年

  • 低功耗(5 MHz 时的典型值)

  – 工作电流:5 mA(典型值) – 待机电流:5 µA(典型值)

  • 扇区擦除功能

  – 均一 2K 字扇区

  • 块擦除功能

  – 均一 32K 字块

  • 快速读取访问时间

  – 70 ns

  • 锁存地址和数据

  • 快速擦除和字编程

  – 扇区擦除时间:36 ms(典型值)

  – 块擦除时间:36 ms(典型值)

  – 全片擦除时间:140 ms(典型值)

  – 字编程时间:28 µs(典型值)

  • 自动写时序

  – 内部 VPP 生成

  • 写操作结束检测

  – 翻转位

  – 数据 # 查询

  • CMOS I/O 兼容性

  • JEDEC 标准

  – 闪存 EEPROM 引脚排列和命令集

  • 可用封装

  – 48 球 TFBGA(6 mm x 8 mm)

  – 48 球 WFBGA(4 mm x 6 mm)微小封装

  – 48 球 XFLGA(4 mm x 6 mm)微小封装

  • 所有器件均符合 RoHS 标准

基于SST39WF400B下的4 Mb(x16)多用途闪存

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