特性
• 按 256K x16 的形式组织
• 单电压读写操作
– 1.65-1.95V
• 超高可靠性
– 可擦写次数:100,000 次(典型值)
– 数据保存时间大于 100 年
• 低功耗(5 MHz 时的典型值)
– 工作电流:5 mA(典型值) – 待机电流:5 µA(典型值)
• 扇区擦除功能
– 均一 2K 字扇区
• 块擦除功能
– 均一 32K 字块
• 快速读取访问时间
– 70 ns
• 锁存地址和数据
• 快速擦除和字编程
– 扇区擦除时间:36 ms(典型值)
– 块擦除时间:36 ms(典型值)
– 全片擦除时间:140 ms(典型值)
– 字编程时间:28 µs(典型值)
• 自动写时序
– 内部 VPP 生成
• 写操作结束检测
– 翻转位
– 数据 # 查询
• CMOS I/O 兼容性
• JEDEC 标准
– 闪存 EEPROM 引脚排列和命令集
• 可用封装
– 48 球 TFBGA(6 mm x 8 mm)
– 48 球 WFBGA(4 mm x 6 mm)微小封装
– 48 球 XFLGA(4 mm x 6 mm)微小封装
• 所有器件均符合 RoHS 标准
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