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IGBT模块驱动保护要点
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2010-03-14
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IGBT 栅极驱动电压Uge
1/ 理论上Uge≥Uge(th)，IGBT 即可开通；
一般情况下Uge(th)＝5～6V
2/ 当Uge 增加时，通态压降减小，通态损耗减小；
但IGBT 承受短路电流能力减小；
当Uge 太大时，可能引起栅极电压振荡，损坏栅极
3/ 当Uge 减小时，通态压降增加，通态损耗增加；
但IGBT 承受短路电流能力提高
4/ 为获得通态压降最小，同时IGBT 又具有较好的承受短路
电流能力，
通常选取Uge≥D*Uge(th)，系数D＝1.5、2、2.5、3
5/ 当Uge(th)为6V，系数D 分别为1.5、2、2.5、3 时，
Uge 则分别为9V、12V、15V、18V；
一般，栅极驱动电压Uge 折中取12V～15V 为宜，12V 最佳
6/ IGBT 关断时， 栅极加负偏压， 提高抗干挠能力，
提高承受dv/dt 能力，栅极负偏压一般为－10V
1/ 理论上Uge≥Uge(th)，IGBT 即可开通；
一般情况下Uge(th)＝5～6V
2/ 当Uge 增加时，通态压降减小，通态损耗减小；
但IGBT 承受短路电流能力减小；
当Uge 太大时，可能引起栅极电压振荡，损坏栅极
3/ 当Uge 减小时，通态压降增加，通态损耗增加；
但IGBT 承受短路电流能力提高
4/ 为获得通态压降最小，同时IGBT 又具有较好的承受短路
电流能力，
通常选取Uge≥D*Uge(th)，系数D＝1.5、2、2.5、3
5/ 当Uge(th)为6V，系数D 分别为1.5、2、2.5、3 时，
Uge 则分别为9V、12V、15V、18V；
一般，栅极驱动电压Uge 折中取12V～15V 为宜，12V 最佳
6/ IGBT 关断时， 栅极加负偏压， 提高抗干挠能力，
提高承受dv/dt 能力，栅极负偏压一般为－10V
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