介绍
0.15μm器件技术
表征和建模方法
0.15μm器件噪声模型
0.15μm大信号模型
总结
• GaN在高功率应用中有许多设计优势,也对LNA有用。
• 减少的栅极长度过程,例如0.15UM,已经出现以解决更高的频率(例如,10 GHz)。
• 本讲座将聚焦于开发一个0.15μm的GaN芯片的先进模型以解决低噪声和高功率应用。
QoVO的生产释放QGaN15工艺利用AlGaN/GaN外延层生长在高导热SiC衬底上。
直流ID最大值为1.15 A/mm,直流GM最大值为425毫秒/毫米,截止电压为-3.1V,VDS为10V。
栅极到漏极器件击穿电压超过75伏,在ID=1mA/mm和VGS=-60V下测量,FT为32 GHz,fMAX为160 GHz。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !