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0.15M GaN芯片系列的非线性和噪声建模的详细资料概述

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:2.04 MB | 2018-07-25

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  介绍

  0.15μm器件技术

  表征和建模方法

  0.15μm器件噪声模型

  0.15μm大信号模型

  总结

  • GaN在高功率应用中有许多设计优势,也对LNA有用。

  • 减少的栅极长度过程,例如0.15UM,已经出现以解决更高的频率(例如,10 GHz)。

  • 本讲座将聚焦于开发一个0.15μm的GaN芯片的先进模型以解决低噪声和高功率应用。

  QoVO的生产释放QGaN15工艺利用AlGaN/GaN外延层生长在高导热SiC衬底上。

  直流ID最大值为1.15 A/mm,直流GM最大值为425毫秒/毫米,截止电压为-3.1V,VDS为10V。

  栅极到漏极器件击穿电压超过75伏,在ID=1mA/mm和VGS=-60V下测量,FT为32 GHz,fMAX为160 GHz。

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