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CMOS工艺中GG—NMOS结构ESD保护电路设计

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:190 | 2010-05-08

cherry1989

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摘要：采用GG-NMOS结构的ESD保护电路的工作原理和对其进行的ESD实验，提出了一种保护电路的栅耦合技术方案，并达到了预期效果．通过实验可以看出其性能达到了人体放电模式的2级标准．在模拟的基础上可确定损伤的机理和位置，从而给出了由ESD导致的栅氧化层损伤的微观机制．
关键词：ESD；GG-NMOS；人体放电模式；栅耦合
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2011-09-06
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