CT80410TDZ是一款800VN沟道增强型模式碳化硅功率MOSFET,采用TO252-3L封装。碳化硅的特性使其具备高电流高击穿电压以及高开关频率的性能优势。TO252-3L封装具有低寄生电感、强大的散热能力和极高的可焊性,这使得碳化硅产品更适合应用于消费和工业领域。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !