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基于钟控神经MOS 管的多值双边沿D触发器设计

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:440 | 2010-08-12

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摘 要:通过对钟控神经MOS 管特性和冗余抑制技术的研究,提出了一种新型多值双边沿D 触发器的设计方案.该方案利用钟控神经MOS 管多输入栅加权信号控制、浮栅上的电容耦合效应及具有对浮栅进行初始化并将数据保存在浮栅上等特性,实现D 触发器的多值输出. 与传统触发器相比较,此多值触发器不但减少时钟冗余信号,降低电路功耗,提高电路效率,而且无需改变电路的结构就可实现不同基的多值D 触发器. 最后,采用0. 25 μmCMOS 工艺,利用PSPICE 模拟验证了所设计的电路具有正确的逻辑功能,并与相同功能多值D 触发器比较,多值双边沿D 触发器具有明显的低功耗特性.
关 键 词:钟控神经MOS 管; 双边沿D 触发器; 多值触发器; 冗余抑制

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