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一种网格状ESD防护器件
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2010-08-20
赵辉
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本发明属于集成电路技术领域，特别涉及一种利用多晶硅版图层次构
造静电电流泄放通道的静电放电防护电路。
背景技术
静电放电是在一个集成电路浮接的情况下，大量的电荷从外向内灌入
集成电路的瞬时过程，整个过程大约耗时100ns。此外，在集成电路放电时
会产生数百甚至数千伏特的高压，这会打穿集成电路中的输入级的栅氧化
层。随着集成电路中的MOS 管的尺寸越来越小，栅氧化层的厚度也越来
越薄，在这种趋势下，使用高性能的静电防护电路来泄放静电放电的电荷
以保护栅极氧化层不受损害是十分必需的。
静电放电现象的模式主要有四种：人体放电模式(HBM)、机械放电模
式(MM)、器件充电模式(CDM)以及电场感应模式(FIM)。对一般集成电路
产品来说，一般要经过人体放电模式，机械放电模式以及器件充电模式的
测试。为了能够承受如此高的静电放电电压，集成电路产品通常必须使用
具有高性能、高耐受力的静电放电保护器件。
造静电电流泄放通道的静电放电防护电路。
背景技术
静电放电是在一个集成电路浮接的情况下，大量的电荷从外向内灌入
集成电路的瞬时过程，整个过程大约耗时100ns。此外，在集成电路放电时
会产生数百甚至数千伏特的高压，这会打穿集成电路中的输入级的栅氧化
层。随着集成电路中的MOS 管的尺寸越来越小，栅氧化层的厚度也越来
越薄，在这种趋势下，使用高性能的静电防护电路来泄放静电放电的电荷
以保护栅极氧化层不受损害是十分必需的。
静电放电现象的模式主要有四种：人体放电模式(HBM)、机械放电模
式(MM)、器件充电模式(CDM)以及电场感应模式(FIM)。对一般集成电路
产品来说，一般要经过人体放电模式，机械放电模式以及器件充电模式的
测试。为了能够承受如此高的静电放电电压，集成电路产品通常必须使用
具有高性能、高耐受力的静电放电保护器件。
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