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CMOS集成电路应用笔记的详细资料说明
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2019-03-08
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HCMOS 的功耗
1 动态功耗
主要是电容充放电引起的，分三种情况，内部电容和负载电容的暂态消耗，以及开关过程中的电流峰；
1》 负 载 电容的暂态消耗（ 充放电）； 作为负载电容， Q=CL*Vcc，Q/T=CL*（Vcc/T），I=Q/T，f=1/T，Il=Cl*Vcc*f;P= Cl*Vcc2*f;
2》 内部电容 P= Ci*Vcc2*f;
3》 输入信号高低电平转换工程中必经过的状态，即 P 沟道N 沟道同时导通，从Vcc到地的导通通道，故与输入信号的工作频率有关，综合2》所述，功耗与内部电容，工作频率的一个函数Cpd（无负载消耗功率电容）；
不同电源的逻辑接口方式——逻辑电平转换器
A CMOS 驱动CMOS
1 向上逻辑电平转换器，例如54HC906 开漏输出，连个电源引脚，上拉电阻实现；
2 向上逻辑电平转换器，例如54HC4049（反相），54HC4050（正相）事项；
B TTL 与CMOS
1 高电压的TTL 驱动低电压的CMOS，如5V 的TTL 驱动3V 的 CMOS；
2 低电压的CMOS 驱动高电压的TTL，例如3V 的 CMOS 驱动5V 的TTL；
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