隔离器

优势和特点 小尺寸：每英寸4个通道 高精度：最大非线性度（K级）为±0.025% 高共模抑制(CMR)：130 dB（增益 = 100 V/V） 高共模电压隔

优势和特点 隔离电压额定值：1,500 V（均方根值） 宽带宽：120 kHz全功率带宽(-3 dB) 快速压摆率：6 V/μs 快速建立时间：9 µs 低谐

优势和特点 高共模电压隔离：2500 V（均方根值、连续）±3500 V（峰值、连续） 小尺寸：1.00" x 2.10" x 0.350" 三端口隔离：输入

优势和特点 在隔离反馈应用中保持稳定性 初始精度：0.5% 全温度范围精度：1% 兼容II型或III型补偿网络 基准电压： 1.225 V 兼容

优势和特点 隔离式反馈应用中的稳定性 整个温度范围内的精度为 0.7% 基准电压：1.225 V 与 DOSA 兼容 低功耗运行：<7 mA（合计）

优势和特点 仪表放大器前端 环路供电电源 可独立调整的输出范围和零输出 预先校准的输出范围:4-12 mA单极性0-20 mA单极性12 ± 8mA双极

描述 AMC1302-Q1是一款精密隔离放大器，带有电容隔离栅，具有很高的抗磁干扰能力。该屏障提供5 kV RMS （最大）的增强隔离，具有非常长的寿命

描述 ISO776x-Q1器件是具有5000 V RMS （DWpackage）和3000-的高性能六通道数字隔离器符合UL 1577标准的V RMS

描述 ISO776x-Q1器件是具有5000 V RMS （DWpackage）和3000-的高性能六通道数字隔离器符合UL 1577标准的V RMS

描述 UCC21220和UCC21220A器件是隔离的双通道栅极驱动器，具有4A峰值源和6A峰值吸收电流。它旨在以最佳的动态性能驱动功率MOSFET，IG

描述 UCC21732-Q1是一款电流隔离式单通道栅极驱动器，设计用于高达1700V的SiC MOSFET和IGBT，具有先进的保护功能，同类最佳的动态性

描述 UCC21530是一款隔离式双通道栅极驱动器，具有4A源和6A吸收峰值电流。它设计用于驱动高达5 MHz的IGBT和SiC MOSFET，具有同类最

描述 ISO5852S-EP器件是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kV RMS 增强型隔离栅极驱动器，具有分离输出（OUTH和OUTL）以及2.

描述 UCC2154x是一款隔离式双通道栅极驱动器系列，具有高达4 A /6 A的峰值源/灌电流，可驱动功率MOSFET，IGBT，采用DWK封装的GaN

描述 ISO7041器件是一款超低功耗，多通道数字隔离器，可用于隔离CMOS或LVCMOS数字I /O.每个隔离通道都有一个逻辑输入和输出缓冲器，由双电容

描述 ISO776x-Q1器件是具有5000 V RMS （DWpackage）和3000-的高性能六通道数字隔离器符合UL 1577标准的V RMS

描述 ISO776x-Q1器件是具有5000 V RMS （DWpackage）和3000-的高性能六通道数字隔离器符合UL 1577标准的V RMS

描述 UCC28064A交错式PFC控制器具有比以前更高的额定功率。该设备使用Natural Interleaving™技术。两个通道都与主机（没有从通道

描述 SN6505x-Q1是低噪声，低EMI推挽变压器驱动器，专为小型独立隔离电源而设计。它采用2.25 V至5 V DC电源驱动薄型中心抽头变压器。通过

描述 UCC20225-Q1是一款单输入，双输出隔离栅极驱动器，具有4-A源和6-A吸收峰值电流，5 mm x 5毫米LGA-13。它采用高达5 MHz的