2025年终总结：SiC碳化硅功率器件的“三个必然”与电力电子产业的自主进化

龙腾半导体推出新一代150V G3平台SGT MOSFET产品LSGT15R032

探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN® GaN FET：高效能与可靠性的完美结合

五家国产MOS管

碳化硅(SiC) MOSFET功率器件热设计基础与工程实践研究报告

Littelfuse荣获2025年度国际功率器件行业卓越奖

SiC碳化硅功率器件销售团队培训手册：功率半导体、基本半导体产品体系与工业应用实战

Wolfspeed荣获2025年度功率器件碳化硅行业卓越奖

安森美携手格罗方德开发下一代氮化镓功率器件

碳化硅MOSFET功率器件B3M011C120Y抗串扰能力深度解析

基本半导体接连斩获三项行业重磅奖项

安森美vGaN技术解锁极致功率密度与效率

MDD辰达半导体荣获2025年度国产功率器件行业优秀奖

森国科荣膺2025行家极光奖年度中国碳化硅器件Fabless十强企业

扬杰科技荣膺2025行家极光奖年度中国SiC器件IDM十强企业

瑞能半导体荣膺2025国际功率器件行业卓越奖

瑞能半导体荣膺2025亚洲金选奖年度最佳功率半导体奖

基于SiC碳化硅功率器件的c研究报告

芯干线斩获2025电源行业GaN技术突破奖

意法半导体亮相2025电源网工程师技术高峰论坛