搜索内容
登录
DRAM
40人关注
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）
...展开
2231
文章
16
视频
82
帖子
183326
阅读
关注标签，获取最新内容
全部
技术
资讯
资料
帖子
视频
华邦电子成功举办三场联合技术论坛
2024-11-27
302阅读
AI时代核心存力HBM(上)
2024-11-16
386阅读
AI时代核心存力HBM(中)
2024-11-16
200阅读
三星平泽P4一期产线调整：将同时生产DRAM和NAND Flash
2024-11-13
203阅读
北京君正预计年底推出21nm DRAM产品
2024-11-12
436阅读
预计2025年DRAM产业将年增25%
2024-11-11
430阅读
2025年DRAM展望:位元产出大增25%,HBM成新增长极但供应紧张
2024-11-07
342阅读
三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片
2024-11-01
525阅读
FormFactor发布2024财年第三季度财报,收入创历史新高
2024-11-01
405阅读
美光科技将于2025年投产EUV DRAM
2024-10-29
430阅读
CDC509/516/2509/2510/2516的高速时钟分配设计技术
2024-10-29
56阅读
存储市场面临多重挑战,NAND与DRAM价格承压
2024-10-28
321阅读
三星电子HBM3E商业化遇阻，或重新设计1a DRAM电路
2024-10-23
507阅读
三星推出业界首款24Gb（3GB）GDDR7 DRAM内存芯片
2024-10-22
579阅读
三星或重新设计1a DRAM以提升HBM质量
2024-10-22
326阅读
三星发布业界首款24Gb GDDR7 DRAM
2024-10-18
780阅读
预计第四季度DRAM市场仅HBM价格上涨
2024-10-14
361阅读
DRAM存储器的特性有哪些
2024-10-12
593阅读
物联网应用中HyperRAM的使用优势
2024-10-11
442阅读
DRAM与NAND闪存价格大幅下跌
2024-10-09
483阅读
上一页
1
/
114
下一页
相关推荐
更多 >
拆解
3D打印
贸泽电子
OGS
EUV
14nm
寒武纪
半导体芯片
EnOcean
Heilind
4K
×
20
完善资料，
赚取积分
下载APP
搜索内容
