广颖电通亮相2024台北国际电脑展，展示DRAM-less无外置缓存解决方案

美光科技调整计划，2027年底日本新厂投产

美光科技计划在日本投资建设DRAM芯片工厂

美光宣布将在日本广岛建设DRAM工厂

美光HBM3E解决方案，高带宽内存助力AI未来发展

SK海力士：HBM3E量产时间缩短50%，达到大约80%范围的目标良率

美光科技或需赔偿Netlist内存子系统专利三倍

三星电子研发16层3D DRAM芯片及垂直堆叠单元晶体管

三星、SK海力士对DRAM和NAND产量持保守态度

三星和SK海力士未恢复增产并计划限制DRAM产量

三星电子和SK海力士对通用存储芯片增产持谨慎态度

机构：2024年底前HBM将占先进制程比例为35%

三星电子与SK海力士预测存储芯片市场需求强烈，HBM产能售罄

SK海力士、三星电子：HBM内存供应充足，明年HBM4将量产

SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产

美光LPDDR5内存为汽车高级驾驶辅助系统(ADAS)提供解决方案

SK海力士加速HBM4E内存研发，预计2026年面市

华邦倾力挺进DDR3市场，抓住转单商机

全球芯片供应链重构，美韩DRAM产能将扩增

三星电子组建HBM4团队，旨在缩短开发周期，提升竞争力