美光宣布开始量产HBM3E高带宽内存 功耗比竞争对手产品低30％

三星开创性研发出12层堆叠HBM3E 12H高带宽存储芯片，存储容量高达36

“网红”芯片Groq让英伟达蒸发5600亿

三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM

三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H

三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM，带宽高达1280GB/s，容量达36G

HBM市场火爆！美光与SK海力士今年供货已告罄

美光科技批量生产HBM3E，推动人工智能发展

Arm发布Neoverse V3和N3 CPU内核

英伟达为什么要下场定制ASIC芯片？英伟达能称霸吗？

SK海力士宣布HBM内存生产配额全部售罄

价格暴涨500%，HBM3e市场彻底被引爆

SK海力士第四季转亏为盈 HBM3营收增长5倍

三星加大投资提升HBM产能，与SK海力士竞争加剧

半导体市场复苏趋势会在什么时候？

4710亿美元巨资投入，三星与海力士携手合作

AI算力驱动：HBM成为行业新宠

台湾力成将量产HBM芯片封测业务，预计今年年底客户验证完成

关于2024年Multi-Die系统设计的四个重要预测

三星电子业绩下滑：存储芯片市场复苏速度低于预期