英伟达大量订购HBM3E内存,抢占市场先机
消息称美光HBM3E正接受主要客户质量评价
AI大模型不断拉高上限,内存控制器IP提早部署,力拱HBM3E的到来
英伟达将于Q1完成HBM3e验证 2026年HBM4将推出
英伟达HBM3e 验证计划2024 Q1完成
预计英伟达将于Q1完成HBM3e验证 2026年HBM4将推出
DDR5实现大幅增长 美光计划明年初大量出货HBM3E
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追赶SK海力士,三星、美光抢进HBM3E
三星披露下一代HBM3E内存性能
HBM3E明年商业出货,兼具高速和低成本优点
SK海力士开发“最佳性能”HBM3E
SK海力士成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E
SK海力士推全球最高性能HBM3E内存
SK海力士开发出全球最高规格HBM3E,向英伟达提供样品
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SK海力士开发出全球最高规格HBM3E
存储技术进入爆发期,SK海力士321层NAND,HBM3e,LPDDR5T纷至沓来
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