IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案

VBE2610N：重塑P沟道功率方案，以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF

Wolfspeed发布E4MS系列分立式碳化硅MOSFET

Wolfspeed发布C4MS系列分立式碳化硅MOSFET

基本半导体碳化硅MOSFET在固态断路器领域的市场引领与技术解析

龙腾半导体核心产品亮相IC China 2025

英飞凌3.3kV SiC XHP2模块：重新定义高压牵引系统的性能标杆

安世半导体风波，车规MOSFET如何突围

MDD辰达半导体N沟道MOSFET在BMS中的应用

英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模块荣获2025全球电子成就奖

服务器电源中MOSFET与低VF贴片二极管的开关损耗优化

新品 | 采用.XT扩散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

普诚PT5606/PT5607高压栅极驱动IC的核心优势

碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件与功率模块规格书深度解析与应用指南

基本半导体碳化硅 (SiC) MOSFET 外特性深度研究报告：饱和区、线性区及动态行为的物理与工程分析

倾佳电子基于碳化硅MOSFET技术的固态开关解决光储直流侧安全的痛点：深度技术研究报告

倾佳电子全碳化硅 (SiC) MOSFET 设计户储逆变器如何助力安全性提升的深度研究报告

基本半导体（BASiC Semiconductor）碳化硅MOSFET跨导特性及其与英飞凌主流同规格产品对比的深度研究报告

倾佳电子研究报告：B2M600170R与B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在电力电子辅助电源中的应用

川土微电子全新推出CA-IS3214系列单通道栅极驱动器