技术资料#UCG28826 集成GaN的自偏置高频QR反激式转换器（65W）

应用笔记：LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET，带集成驱动器

LMG3624EVM-081评估模块：用于带 USB Type-C® PD 的 65W 准谐振反激式转换器

LMG3614 具有集成驱动器和保护功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG2640 650V 105mΩ GaN 半桥，集成驱动器、保护和电流感应概述

LMG342x 评估模块LMG342X-BB-EVM概述

LMG3650R035 650V 35mΩ TOLL 封装 GaN FET，集成驱动器和保护概述

LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封装 GaN FET，集成驱动器和保护介绍

LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET，带集成驱动器介绍

LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封装 GaN FET，集成驱动器、保护和零电压检测介绍

LMG2652 650V、140mΩ GaN半桥，集成驱动器、保护和电流感应概述

TIDA-010936 适用于集成电机驱动器的48V/16A小型三相GaN逆变器参考设计

TIDA-010042 基于GaN的400W MPPT充电控制器和电源优化器参考设计

PMP23340C2K 采用C2000™ MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 1/8 砖型电源模块参考设计

TIDA-010933 基于GaN的 1.6kW 双向微型逆变器参考设计

PMP31349 具有GaN开关的30V至60V输入、240W 降压转换器参考设计

TI LMG2100R044 具有集成驱动器和保护功能的 100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET

LMG3624评估模块LMG3624EVM-081符合 USB Type-C® PD 标准的 65W 准谐振反激式转换器

TI LMG3624 具有集成式驱动器和电流检测仿真功能的 650V 170mΩ GaN FET技术文档

TI LMG3624 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 170mΩ GaN FET