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DDR2 SDRAM的K4T1G164QE和K4T1G084QE及K4T1G164QE数据手册免费下载

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:1.00 MB | 2018-11-01

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　　1GB DDR2 SDRAM被组织为32兆位X 4 I/OS X8BANS、16Mbit X 8 I/OS X8BANS或8Mbit X 16 I/OS X 8 BooStand设备。该同步装置实现了高达800Mb/sec/pin（DDR2-800）原生应用的高速双倍数据传输速率。

　　该芯片设计成符合以下关键DDR2 SDRAM特性，例如具有附加延迟的张贴CAS、写时延=读时延-1、片外驱动器（OCD）阻抗调整以及管芯终止。

　　所有的控制和地址输入与外部提供的差分时钟同步。输入被锁存于差分时钟（CK上升和CK下降）的交叉点。所有的I/O都以一种源同步方式与一对双向选通（DQS和DQS）同步。地址总线用于以RAS/CAS复用方式传送行、列和存储体地址信息。例如，1GB（X8）设备接收14/10 / 3寻址。

　　1GB DDR2器件采用1.8V±0.1V电源和1.8V±0.1V VDDQ工作。

　　1GB DDR2设备可在60BLL FBGA（X4/X8）和I84BLL FBGA（X16）中使用。

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