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SIC1182K通用基板的电路设计资料免费下载

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:3.13 MB | 2019-09-11

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　　该应用方案提供了一种用于驱动各种sic mosfet功率模块的通用基板的电路设计。

　　设计的主要特点是：

　　•适用于62mm外壳中的SiC mosfet功率模块，最大阻断电压为1200 V

　　•半桥模块的两个通道

　　•短路检测

　　•先进的主动夹紧

　　•电气命令输入和状态输出

　　•0 V/5 V命令输入逻辑

　　•0 V/5 V状态输出逻辑

　　•最小脉冲抑制

　　•5 V电源电压

　　•单PCB解决方案，焊接在门驱动器IC中

　　•可调电源控制器

　　应用条件

　　本设计针对以下应用条件提出：

　　•通用应用

　　•SiC mosfet功率模块

　　•峰值电流高达8 A

　　•每个通道高达1.3 W

　　•环境温度：-40…85°C

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