资料下载
×
Gan-ON-SI中负偏压引起的阈值电压不稳定性的论文免费下载
消耗积分:2 |
格式:pdf |
大小:0.75 MB |
2019-10-02
LIVElive
分享资料个
本文报道了一个深入研究的负阈值电压不稳定性的gan-on-si金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管部分凹陷algan。基于一组在不同温度下进行的应力/恢复实验，我们证明：1）在高温和负栅偏压（-10v）下工作，可能会导致显著的负阈值电压偏移，这与导通电阻的降低密切相关；2）该过程的时间常数在10-100s之间，并由温度加速，活化能等于0.37ev；3）阈值电压的变化是可恢复的，具有对数动力学。阈值电压的负移归因于sin/algan界面和/或栅绝缘体中陷阱态的耗尽。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
- 相关下载
- 相关文章
