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IS61WV51216ALL系列高速8M位静态RAM的数据手册免费下载

消耗积分:1 | 格式:PDF | 大小:0.19 MB | 2019-12-02

bu曾离开

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　　ISIS为61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态RAM，16位组成512K字。它是用ISSI的高性能CMOS工艺制造的。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，产生了高性能和低功耗的器件。当CE为高（取消选择）时，器件采用待机模式，在该模式下，功耗可以通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入、CE和OE，可以方便地扩展存储器。活动低写入启用（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许上字节（UB）和下字节（LB）访问该设备采用JEDEC标准44针TSOP II型和48针迷你BGA（9mm x 11mm）封装。

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