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IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL超低功耗CMOS静态RAM的数据手册

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.13 MB | 2021-02-25

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  he/SS/IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,由5个12K字和16位组成。它是用ISS/Ts高性能CMOStechnology制造的。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,在CS1高(取消选择)或CS2低(取消选择)或CS1低、CS2高以及HLB和UB都高的情况下,可产生高性能和低功耗的设备,该器件采用待机模式,在待机模式下,可以通过CMOS输入电平降低功耗,通过使用芯片使能和输出使能输入提供存储器扩展。主动低写使能(WE)控制存储器的写入和读取。Adata byte允许上字节(UB)和下字节(LB)访问ls62wv51216alland S62wv51216bllare包JEDEC标准4针小型BGA(7)。2毫米8。7MM和44针TSOP

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