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1200V CoolSiC肖特基二极管的使用资料说明

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:0.36 MB | 2021-01-11

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现已推出采用TO-2472脚封装的第五代 1200 V CoolSiC肖特基二极管，可轻松替换当前常用的硅二极管。新的封装将爬电距离和电气间隙增至 8.7 mm，能够在严重污染环境中实现非凡安全性。结合硅 IGBT 或超结 MOSFET，譬如，在三相系统中用于 Vienna 整流或 PFC 升压，CoolSiCTM 二极管相比于硅二极管，效率可提高 1% 或以上，PFC 和 DC-DC 级的输出功率可增加 40% 或以上。除开关损耗微乎其微之外——这是碳化硅肖特基二极管的标志性特点——第五代 CoolSiCTM 二极管产品还具备出类拔萃的正向电压（VF），VF 受温度影响的偏移小，并且拥有超强的浪涌电流能力。得益于此，该系列产品能够以极具吸引力的价位，提供市场领先的效率和出色的系统可靠性。

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