资料下载
×
1200V CoolSiC肖特基二极管的使用资料说明
消耗积分:1 |
格式:pdf |
大小:0.36 MB |
2021-01-11
h1654155204.3811
分享资料个
现已推出采用TO-2472脚封装的第五代 1200 V CoolSiC肖特基二极管，可轻松替换当前常用的硅二极管。新的封装将爬电距离和电气间隙增至 8.7 mm，能够在严重污染环境中实现非凡安全性。结合硅 IGBT 或超结 MOSFET，譬如，在三相系统中用于 Vienna 整流或 PFC 升压，CoolSiCTM 二极管相比于硅二极管，效率可提高 1% 或以上，PFC 和 DC-DC 级的输出功率可增加 40% 或以上。除开关损耗微乎其微之外——这是碳化硅肖特基二极管的标志性特点——第五代 CoolSiCTM 二极管产品还具备出类拔萃的正向电压（VF），VF 受温度影响的偏移小，并且拥有超强的浪涌电流能力。得益于此，该系列产品能够以极具吸引力的价位，提供市场领先的效率和出色的系统可靠性。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
- 相关下载
- 相关文章
