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霍尔传感器与量子阱霍尔传感器的区别。

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小: | 2021-12-28

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一、商业硅霍尔传感器首先大家对霍尔效应比较熟悉，当承载电流（I）的导体置于磁场（B）中并定向以使电流和磁场成直角时，导体中产生的电场与电流和磁场成直角，并产生一个磁场霍尔电压（Vh）。电荷在电场和磁场中的给定点上感受到的电磁力称为洛伦兹力。F = q(E + vB)根据公式，我们知道电子移动的速度越快，它们所受的力就越大，从而产生更高的霍尔电压。这意味着霍尔效应传感器的灵敏度取决于所选材料的迁移率。硅基霍尔效应传感器的灵敏度范围为1mT 到100 mT。二、量子阱霍尔传感器生成条件：
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