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TP65H050G4WS氮化镓FET英文手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.36 MB | 2022-03-30

HTPH

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　　TP65H050G4WS 650V，50MΩ氮化镓（GaN）FET是一种使用Transphorm的Gen IV的常闭器件站台它结合了最先进的高压氮化镓HEMT采用低压硅MOSFET，提供卓越的性能可靠性和性能。

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