×

TP65H150G4PS常关器件氮化镓FET英文手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.11 MB | 2022-03-30

HTPH

分享资料个

  TP65H150G4PS 650V,150mΩ 氮化镓(GaN)FET是一种常关器件。它结合了最先进的高科技电压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !