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GANE3R9-150QBA氮化镓(GaN)FET规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:299.24KB | 2025-02-12

李娓仑

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GANE3R9-150QBA 是一款通用型 150 V、3.9 mΩ 氮化镓 （GaN） FET，采用 超薄型四方扁平无引脚封装 （VQFN） 封装。它是一个正常关闭的 e 模式设备 提供卓越的性能和极低的导通电阻。
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