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GAN041-650WSB氮化镓(GaN)FET规格书
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2025-02-13
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GAN041-650WSB 是一款采用 TO-247 封装的 650 V、35 mΩ 氮化镓 （GaN） FET。这是一个 常关器件，结合了Nexperia最新的高压GaN HEMT H2技术和 低压硅MOSFET技术 — 提供卓越的可靠性和性能。 2. 特点和优势 • 超低反向恢复电荷 • 简单栅极驱动（0 V 至 10 V 或 12 V） • 坚固的栅极氧化物（±20 V 能力） • 高栅极阈值电压 （4 V），具有非常好的栅极反弹抗扰度 • 反导模式下的源极漏极电压非常低 • 瞬态过压能力
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