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SWD046R68E8T N沟道增强型MOSFET规格书

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:0.75 MB | 2022-11-23

lycheng

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该功率MOSFET采用SAMWIN的先进技术生产。该技术使得功率MOSFET具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是优异的雪崩特性。
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