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交流耦合栅极驱动电路
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2023-02-23
陈杰
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栅极驱动路径中的交流耦合可为栅极驱动信号提供简单的电平位移。交流耦合的主要作用是修改主MOSFET的开通和关断栅极电压，而高侧栅极 驱动则不同，它最需要关注的是缩小较大的电势差。在如 图31 所示的接地参考示例中，栅极驱动在 -VCL和 VDRV-VCL电平之间，而不是驱动 器的初始输出电压电平 0V和 VDRV 之间。 电压 VCL由二极管钳断网络决定，在耦合电容器上形成。此技术的优点是能够以简单的方法在开关关断时和关断状态下为栅极提供负偏置，从而 提高 MOSFET的关断速度并改善 dv/dt 抗扰性。这种折衷方法略微降低了开启速度，同时由于正驱动电压降低可能增加 RDS(on) 电阻。
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