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如何使用栅极电荷设计功率MOSFET和IGBT的栅极驱动电路

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.10 MB | 2020-03-08

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  不熟悉MOSFET或IGBT输入特性的设计人员首先根据数据表中列出的栅源或输入电容来确定元件值,从而开始驱动电路设计。基于栅极对源电容的RC值通常会导致栅极驱动严重不足。虽然栅极对源电容是一个重要的值,但栅极对漏电容实际上更重要,也更难处理,因为它是受电压函数影响的非线性电容;栅极对源电容也受电压函数影响,但影响程度要小得多。

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