传统的双极晶体管是电流驱动型器件,而MOSFET是电压驱动型器件。图1.1显示了一个双极晶体管。必须在基极和发射极之间施加电流,以在集电极产生电流。图1.2显示了一个MOSFET,当在栅极和源极端子之间施加电压时,它在漏极中产生一个电流。MOSFET的栅极由氧化硅层组成。由于栅极与源极绝缘,除了在栅极充电和放电的瞬态期间,向栅极端子施加DC电压理论上不会导致电流在栅极中流动。实际上,这个门有几毫微安量级的微小电流。当栅极和源极端子之间没有电压时,除了漏电流之外,没有电流在漏极中流动,因为漏源阻抗非常高。
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